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產(chǎn)品中心 · 光束質(zhì)量分析儀

BeamMap2狹縫掃描式光束質(zhì)量分析儀
BeamMap2狹縫掃描式光束質(zhì)量分析儀

Dataray @ BeamMap2狹縫掃描式光束質(zhì)量分析儀

產(chǎn)品負(fù)責(zé)人

李工

姓名:李工

電話:0431-85916189

郵箱:info@china-quantum.com


產(chǎn)品詳情

DataRay的BeamMap2代表了一種完全不同的實(shí)時光束分析方法。 它通過允許沿光束行程的多個位置進(jìn)行測量,擴(kuò)展了Beam'R2的測量功能。 這種實(shí)時狹縫掃描系統(tǒng)在旋轉(zhuǎn)圓盤上的多個z平面中使用XY狹縫對,以同時測量四個不同z位置處的四個光束輪廓。

?

?產(chǎn)品特點(diǎn):

?

· 190至1150 nm,Si探測器

· 650至1800 nm,InGaAs探測器

· 1000至2300或2500 nm,InGaAs(擴(kuò)展)測器

· 提供多種平面間距選項(xiàng)

· 光束直徑為5μm至4mm

· 端口供電,USB2.0,靈活的3米電纜,沒有電源磚

· 0.1μm采樣和分辨率

· 線性和對數(shù)X-Y輪廓

· 輪廓縮放和狹縫寬度補(bǔ)償

· 實(shí)時多Z平面掃描狹縫系統(tǒng)

· 實(shí)時 XYZ輪廓,焦點(diǎn)位置

· 實(shí)時M2、發(fā)散、準(zhǔn)直、對準(zhǔn)

?

產(chǎn)品參數(shù):

產(chǎn)品參數(shù)

?

波長

Si detector: 190 to 1150 nm
InGaAs detector: 650 to 1800 nm
Si + InGaAs detectors: 190 to 1800 nm
Si + InGaAs (extended) detectors:?190 to 2300 or 2500 nm

掃描光束直徑

Si detector: 5 μm to 4 mm, to 2 μm in Knife-Edge mode*
InGaAs detector:?10 μm to 3 mm, to 2 μm in Knife-Edge mode*
InGaAs (extended) detector:?10 μm to 2 mm, to 2 μm in Knife-Edge mode*

平面間距(4XYmodels

100 μm: -100, 0, +100, +400 μm
250 μm: -250, 0, +250, +1000 μm
500 μm: -500, 0, +500, +2000 μm
750 μm: -750, 0, +750, +3000 μm

平面間距(3XYKE models)

50 μm: -50, 0, +50, 0 μm
100 μm: -100, 0, +100, 0 μm

束腰直徑測量

Second moment (4s) diameter to ISO 11146; Fitted Gaussian & TopHat
1/e2 (13.5%) width
User selectable % of peak
Knife-Edge mode* for very small beams

束腰位置測量

X、Y 和 Z 方向上 ± 20 μm 最佳

測量源

連續(xù)波;脈沖激光,F μm = [500/(PRR in kHz)]

分辨率精度

0.1μm或掃描范圍的 0.05%±<2%±= 0.5 μm

M2?測量

1 to > 20, ± 5%

發(fā)散/準(zhǔn)直,指向

1 mrad最好

最大功率和輻照度

1 W Total & 0.5 mW/μm2

增益范圍

1,000:1 Switched 4,096:1 ADC range

顯示圖形

X-Y-Z Position & Profiles, Zoom x1 to x16

更新率

~5 Hz

平均

用戶可選擇運(yùn)行平均值(1 到 8 個樣本)

最低電腦要求

Windows, 2 GB RAM, USB 2.0/3.0 port

* Knife-Edge mode需要 3XYKE?型號

產(chǎn)品選擇:

?

?

Beam’R2

BeamMap2

主要特征

集成X和Y輪廓

實(shí)時 XYZθΦ 測量和焦點(diǎn)查找

實(shí)時指向、發(fā)散和M2?測量

接口

USB 2.0 Port-powered

CW or Pulsed?

CW,脈沖最小 PRR(Si 探測器)≈ [500/(激光直徑μm] kHz

波長

Si:190-1150 nm

InGaAs:650-1800 nm

Si+InGaAs:190-1800nm

Si+InGaAs,extended:190-2500nm

X-Y-Z Profiles, plus Θ-Φ

N/A

最佳分辨率

0.1 μm

最小光束

2 μm (Knife Edge mode)

更新率

5 Hz real-time (adjustable 2-10 Hz)

M2?測量

Yes - with M2DU-BR accessory

Yes - real-time

定位焦點(diǎn)

Yes - with M2DU-BR accessory

Yes - real-time

指向/發(fā)散

Yes - with M2DU-BR accessory

Yes - real-time

開關(guān)增益(選項(xiàng) dB)

32 dB

?

參數(shù)

參數(shù)值

BeamMap2

Beam'R2

Comments

波長可選范圍(nm)

190-1150, 650-1800, 190-1800, 190-2500

Yes

Yes

Si, InGaAs, Si + InGaAs,

被掃描光束直徑

2?μm to 4 mm (2 mm for IGA-X.X)

Yes

Yes

Si + InGaAs, extended

X-Y?輪廓及中心分辨率:

0.1?μm?或者?0.05%?的掃描范圍

Yes

Yes

?

精度:

±?<2%?± ≤0.5μm

Yes

Yes

?

CW or Pulsed

連續(xù)/脈沖 最小PRR?≈?[500/(激光直徑μm)]kHz

Yes

Yes

?

光束對準(zhǔn)準(zhǔn)直

±?1 mrad with BeamMap2 ColliMate

Yes

-

?

M2?測量

1 to >20,?±?5%

Yes

-

Beam Dependent

實(shí)時更新

5 Hz

Yes

Yes

4 Z-plane hyperbolic fit

最大功率&輻照度

1 W Total & 0.3 mW/μm2

Yes

Yes

Adjustable 2-12 Hz

增益范圍:

32dB

Yes

Yes

Metallic film on Sapphire slits

產(chǎn)品詢價